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Am29LV640D

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如果您对该产品感兴趣的话,可以 产品名称: Am29LV640D
产品型号: AMD 100万次可擦写64M闪存
产品展商: 其他品牌
关注指数:4881
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简单介绍

AMD Am29LV640D是100万次可擦写存储器,Am29LV640D是一款普通数据存储器.Am29LV640D的封装形式目前有TSOP-48和TSOP-56 pinning.

Am29LV640D

   的详细介绍

Amd Am29LV640

The AMD LV Series has 1 Million write/erase cycles endurance. This is an ordinary memory for code storage (addr/data lines). TSOP-48 or TSOP-56 pinning.

Hersteller AMD  
Produkt Am29LV640D, Am29LV641D  
Technologie NOR; 0.23 micron CMOS;  
Spannung/Strom 3 - 3.6V / 9 mA typ. beim Lesen, 20-30 mA Loeschen/Programmiern, 5 uA Standby  
Bus parallel  
Kapazität 16 M  
Interface Px16  
Read Latency    
Sequentielles Lesen 90 nsec  
Burst Write    
Sustained Write 11 usec/Word; 48 sec / Chip  
Blockgrösse 128 x 32 KWorte Sektoren  
E/P Cycles 1000.000 (Minimum)  
Erase Performance 0.9 sec / Sektor; 115 sec / Chip;  
Gehäuse TSOP-48, SSOP-56, Fine-Pitch BGA-63, Fortified BGA-64  
Sonstige Eigenschaften

Verwendung 1999 bis jetzt; Uniform-sector mit VersatileIO Control; CFI-kompatibel; "SecSi" (Secured Silicon) Sector Region; fuer diesen Baustein gibt es einen Ersatz mit MirrorBit Technologie, den Am29LV640MU. Die MirrorBit Technologie erlaubt eine groessere Dichte durch die Speicherung von 2 Bit pro Zelle.

Ausserdem werden auch andere gewoehnlichen Flash-Bausteine durch die aequivalenten MirrorBit Baustein ersetzt (Am29LV160M, Am29LV320M, Am29LV640M, Am29LV128M, Am29LV256M). Achtung: Eine aehnliche Technologie von Intel nennt sich StrataFlash. MirrorBit und StrataFlash Bausteine sind nicht pinkompatibel. Die Sektorgroesse bei MirrorBit ist 64 KByte, die bei StrataFlash hingegen 128 KByte. MirrorFlash soll Anfang 2003 in grossen Stueckzahlen verfuegbar sein bei Kapazitaeten von 16 bis 256 MBit (evtl. bis 1 GBit).

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